本教材简要介绍了半导体器件基本结构、半导体器件工艺的发展历史、半导体材料基本性质及半导体制造中使用的化学品，以典型的CMOS管的制造实例为基础介绍了集成电路的制造过程及制造过程中对环境的要求及污染的控制。重点介绍了包括清洗、氧化、化学气相淀积、金属化、光刻、刻蚀、掺杂、平坦化几大集成电路制造工艺的工艺原理工艺过程，工艺设备、工艺参数、质量控制及工艺模拟的相关内容。

目录
前言
第1章绪论
1.1引言
1.2基本半导体元器件结构
1.2.1无源元件结构
1.2.2有源器件结构
1.3半导体器件工艺的发展历史
1.4集成电路制造阶段
1.4.1集成电路制造的阶段划分
1.4.2集成电路时代划分
1.4.3集成电路制造的发展趋势
1.5半导体制造企业
1.6基本的半导体材料
1.6.1硅——最常见的半导体
材料
1.6.2半导体级硅
1.6.3单晶硅生长
1.6.4IC制造对衬底材料的
要求
1.6.5晶体缺陷
1.6.6其他半导体材料
1.7半导体制造中使用的化学品
1.8半导体制造的生产环境
1.8.1净化间沾污类型
1.8.2污染源与控制
1.8.3典型的纯水制备方法
本章小结
本章习题
第2章半导体制造工艺概况
2.1引言
2.2器件的隔离
2.2.1PN结隔离
2.2.2绝缘体隔离
2.3双极型集成电路制造工艺
2.4CMOS器件制造工艺
2.4.120世纪80年代的CMOS
工艺技术
2.4.220世纪90年代的CMOS
工艺技术
2.4.321世纪初的CMOS工艺
技术
本章小结
本章习题
第3章清洗工艺
3.1引言
3.2污染物杂质的分类
3.2.1颗粒
3.2.2有机残余物
3.2.3金属污染物
3.2.4需要去除的氧化层
3.3清洗方法
3.3.1RCA清洗
3.3.2稀释RCA清洗
3.3.3IMEC清洗
3.3.4单晶圆清洗
3.3.5干法清洗
3.4常用清洗设备——超声波清洗
设备
3.4.1超声波清洗原理
3.4.2超声波清洗机
3.4.3超声波清洗机的工艺流程
3.4.4超声波清洗机的操作流程
3.4.5其他清洗设备
3.5清洗的质量控制
本章小结
本章习题
第4章氧化
4.1引言
4.2二氧化硅膜的性质
4.3二氧化硅膜的用途
4.4热氧化方法及工艺原理
4.4.1常用热氧化方法及工艺
原理
4.4.2影响氧化速率的因素
4.5氧化设备
4.6氧化工艺操作流程
4.7氧化膜的质量控制
4.7.1氧化膜厚度的测量
4.7.2氧化膜缺陷类型及检测
4.7.3不同方法生成的氧化膜特性
比较
本章小结
本章习题
第5章化学气相淀积
5.1引言
5.1.1薄膜淀积的概念
5.1.2常用的薄膜材料
5.1.3半导体制造中对薄膜的
要求
5.2化学气相淀积（CVD）原理
5.2.1化学气相淀积的概念
5.2.2化学气相淀积的原理
5.3化学气相淀积设备
5.3.1APCVD
5.3.2LPCVD
5.3.3等离子体辅助CVD
5.4CVD工艺流程及设备操作
规范
5.5外延
5.5.1外延的概念、作用、原理
5.5.2外延生长方法
5.5.3硅外延工艺
5.6CVD质量检测
本章小结
本章习题
第6章金属化
6.1引言
6.1.1金属化的概念
6.1.2金属化的作用
6.2金属化类型
6.2.1铝
6.2.2铝铜合金
6.2.3铜
6.2.4阻挡层金属
6.2.5硅化物
6.2.6钨
6.3金属淀积
6.3.1蒸发
6.3.2溅射
6.3.3金属CVD
6.3.4铜电镀
6.4金属化流程
6.4.1传统金属化流程
6.4.2双大马士革流程
6.5金属化质量控制
本章小结
本章习题
第7章光刻
7.1引言
7.1.1光刻的概念
7.1.2光刻的目的
7.1.3光刻的主要参数
7.1.4光刻的曝光光谱
7.1.5光刻的环境条件
7.1.6掩膜版
7.2光刻工艺的基本步骤
7.3正性光刻和负性光刻
7.3.1正性光刻和负性光刻的
概念
7.3.2光刻胶
7.3.3正性光刻和负性光刻的
优缺点
7.4光刻设备简介
7.4.1接触式光刻机
7.4.2接近式光刻机
7.4.3扫描投影光刻机
7.4.4分步重复光刻机
7.4.5步进扫描光刻机
7.5光刻工艺机简介及操作流程
7.5.1URE2000/25光刻机
简介
7.5.2光刻机操作流程
7.6光刻质量控制
7.6.1光刻胶的质量控制
7.6.2对准和曝光的质量控制
7.6.3显影检查
本章小结
本章习题
第8章刻蚀
8.1引言
8.1.1刻蚀的概念
8.1.2刻蚀的要求
8.2刻蚀工艺
8.2.1湿法刻蚀
8.2.2干法刻蚀
8.2.3两种刻蚀方法的比较
8.3干法刻蚀的应用
8.3.1介质膜的刻蚀
8.3.2多晶硅膜的刻蚀
8.3.3金属的干法刻蚀
8.3.4光刻胶的去除
8.4刻蚀设备
8.5干法刻蚀工艺流程及设备操作
规范
8.6刻蚀的质量控制
本章小结
本章习题
第9章掺杂
9.1引言
9.2扩散
9.2.1扩散原理
9.2.2扩散工艺步骤
9.2.3扩散设备、工艺参数及其
控制
9.2.4常用扩散杂质源
9.3离子注入
9.3.1离子注入原理
9.3.2离子注入的重要参数
9.3.3离子注入掺杂工艺与扩散
掺杂工艺的比较
9.4离子注入机
9.4.1离子注入机的组成及工作
原理
9.4.2离子注入工艺及操作
规范
9.4.3离子注入使用的杂质源及
注意事项
9.5退火
9.6离子注入关键工艺控制
9.7离子注入的应用
9.7.1沟道区及阱区掺杂
9.7.2多晶硅注入
9.7.3源漏区注入
9.8掺杂质量控制
9.8.1结深的测量及分析
9.8.2掺杂浓度的测量
9.8.3污染
本章小结
本章习题
第10章平坦化
10.1引言
10.2传统平坦化技术
10.2.1反刻
10.2.2玻璃回流
10.2.3旋涂玻璃法
10.3化学机械平坦化
10.3.1CMP优点和缺点
10.3.2CMP机理
10.3.3CMP设备
10.3.4CMP工艺流程及工艺
控制
10.3.5CMP应用
10.4CMP质量控制
10.4.1膜厚的测量及非均匀性
分析
10.4.2硅片表面状态的观测方法
及分析
本章小结
本章习题
第11章工艺模拟
11.1引言
11.1.1工艺模型
11.1.2工艺模拟器简介
11.1.3Athena 基础
11.2氧化工艺模拟
11.3淀积工艺模拟
11.4光刻工艺模拟
11.5刻蚀工艺模拟
11.6掺杂工艺模拟
11.6.1扩散工艺模拟
11.6.2离子注入工艺模拟
参考文献